Robert H. Dennard，美国电气工程师和发明家
罗伯特·丹纳德（Robert Dennard，1932 年 9 月 5 日－）是美国电气工程师和发明家。

Dennard 出生于美国德克萨斯州的特雷尔。他获得了学士学位。和多发性硬化症。分别于 1954 年和 1956 年在达拉斯南卫理公会大学获得电气工程学位。他获得了博士学位。 1958 年毕业于宾夕法尼亚州匹兹堡的卡内基理工学院。他的职业生涯是在国际商业机器公司担任研究员。

1966 年，他发明了由晶体管和电容器组成的晶体管存储单元，并于 1968 年获得了专利。它成为当今动态随机存取存储器 (DRAM) 的基础。 Dennard 也是最早认识到缩小 MOSFET 尺寸的巨大潜力的人之一。他和他的同事在 1974 年制定的缩放理论假设 MOSFET 继续充当压控开关，同时所有关键品质因数（如布局密度、运行速度和能源效率）都得到改善——前提是几何尺寸、电压和掺杂浓度一致地缩放以保持相同的电场。这一特性是摩尔定律的成就和过去几十年微电子学发展的基础。

In 1984, Dennard was elected a member of the National Academy of Engineering for pioneering work in FET technology, including invention of the one transistor dynamic RAM and contributions to scaling theory.